碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。 平面碳化硅 MOS 结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中，流过时会产生 JFET 效应 ...

在电子电路设计与应用中，三极管和MOS管是极为重要的半导体器件，它们各自具有独特的特性和应用场景，了解它们之间的区别对于正确选择和使用器件至关重要。 三极管是一种具有三个电极的半导体器件，包括基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。它主要有 ...