IT之家 9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次 ...

另一个主要挑战是公共充电桩数量有限，尤其是快速充电桩。这种短缺可能会导致驾驶员产生充电焦虑，因此会出现充电时间过长的问题。尽管电动汽车销量增长放缓，但电动汽车数量却在不断增加，进一步加剧了这一情况的恶化。

在电子电路设计与应用中，三极管和MOS管是极为重要的半导体器件，它们各自具有独特的特性和应用场景，了解它们之间的区别对于正确选择和使用器件至关重要。 三极管是一种具有三个电极的半导体器件，包括基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。它主要有 ...